Each of several items in a list, preceded by a bullet symbol for emphasis.
:
- - 1 ГБ DDR 266 МГц
- - 184-pin DIMM
- - Час затримки CAS: 2.5
- - Error-correcting code (ECC)
Більше>>>
Короткий підсумковий опис IBM MEMORY 1GB PC2100 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM (256 MB) TS модуль пам'яті 1 ГБ 266 МГц Error-correcting code (ECC):
Цей короткий підсумок IBM MEMORY 1GB PC2100 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM (256 MB) TS модуль пам'яті 1 ГБ 266 МГц Error-correcting code (ECC) опису сформован автоматично та використовує назву продукта та перші шість основних специфікацій.
IBM MEMORY 1GB PC2100 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM (256 MB) TS, 1 ГБ, DDR, 266 МГц, 184-pin DIMM
Сумарний опис IBM MEMORY 1GB PC2100 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM (256 MB) TS модуль пам'яті 1 ГБ 266 МГц Error-correcting code (ECC):
Це автоматично сформований загальний підсумок IBM MEMORY 1GB PC2100 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM (256 MB) TS модуль пам'яті 1 ГБ 266 МГц Error-correcting code (ECC) оснований на перших трьох специфікаціях, перших п'яти специфікацій груп.
IBM MEMORY 1GB PC2100 CL2.5 ECC DDR SDRAM RDIMM (256 MB) TS. Оперативна пам'ять: 1 ГБ, Тип внутрішньої пам'яті: DDR, Тактова частота пам'яті: 266 МГц, Форм-фактор пам'яті: 184-pin DIMM, Час затримки CAS: 2.5, Error-correcting code (ECC)